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如何看待石墨烯、納米銀線等觸控新材料崛起?

信息來(lái)源: http://www.qdhlgjgzj.cn  時(shí)間:2018-9-30 14:57:55 

為降低原料成本,觸控面板廠積極找新材料,盼取代占成本40%左右的氧化銦錫(ITO)薄膜。在此背景下,金屬網(wǎng)格(Metalmesh)、納米銀線(Agnanowire)、碳納米管(CNT)、石墨烯(Graphene)等替代材料興起,受到各大觸控廠商青睞。

 

  另外,觸控面板用氧化銦錫(ITO)薄膜主要材料為銦錫(Indium),全球58%產(chǎn)量集中在中國(guó)大陸,因銦錫產(chǎn)量遭限制,導(dǎo)致價(jià)格上漲。因國(guó)內(nèi)限制銦錫產(chǎn)量,觸控面板廠費(fèi)盡心思開(kāi)發(fā)替代材料,以確保大尺寸觸控面板的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。

 

  下面將帶大家一起來(lái)看看這些替代氧化銦錫(ITO)薄膜的新材料的布局情況。

 

  一、各廠商爭(zhēng)相布局Metalmesh金屬網(wǎng)格技術(shù)

 

  Metal-Mesh是有別于傳統(tǒng)的ITO的觸控導(dǎo)電層,其特點(diǎn)之一是以Film為基礎(chǔ),目前只是觸控技術(shù)之一,在手機(jī)和中尺寸觸控屏中應(yīng)用比較多。MetalMesh具備以下優(yōu)勢(shì):首先,從工藝制程上來(lái)看,材料不會(huì)有浪費(fèi),材料本身成本也相對(duì)更低廉。其次,觸摸屏方阻低,導(dǎo)電性能更高,反應(yīng)速度快,用戶體驗(yàn)更完美。

 

  2013年開(kāi)始,觸控面板廠搶觸控筆記本商機(jī),紛紛開(kāi)始布局MetalMesh金屬網(wǎng)格技術(shù),繼大陸觸控廠歐菲光、界面在今年底推出MetalMesh觸控面板之后,勝華也宣布推MetalMeshOGS面板。

 

  針對(duì)輕薄化的趨勢(shì),勝華還祭出了GFG可撓式觸控面板,預(yù)計(jì)2014年上半年量產(chǎn)。

 

  雖然NB市場(chǎng)衰退,不過(guò)一年仍有超過(guò)2億臺(tái)的規(guī)模,以10~20%的市場(chǎng)滲透率計(jì)算,觸控筆記本一年出貨量高達(dá)2,000~4,000萬(wàn)臺(tái),數(shù)量相當(dāng)可觀。由于ITO導(dǎo)電度比金屬差,在屏幕尺寸放大之后,影響到觸控靈敏度,因此觸控面板廠紛紛投入MetalMesh觸控的開(kāi)發(fā)。

 

  勝華表示,今年成功開(kāi)發(fā)MetalMesh技術(shù),利用過(guò)去TFT面板用的曝光機(jī),把MetalMesh做在OGS單片式觸控面板上,不僅提升了觸控靈敏度,而且因?yàn)殡娮杞档?,還可以達(dá)到表面懸浮(hovering)的觸控效果。包括手機(jī)大廠、以及NB廠都很有興趣,目前已經(jīng)送樣給客戶驗(yàn)證中,最快2014年上半年可望導(dǎo)入量產(chǎn)。

 

  勝華董事長(zhǎng)黃顯雄在今年宣布公司正在開(kāi)發(fā)全新的GFG(GlassFlexibleGlass)觸控面板,也就是外層是一面保護(hù)玻璃,搭配一片超薄的flexibleglass可撓式玻璃。雖然是兩片玻璃,但是超薄玻璃厚度僅厚度約0.1~0.2毫米,不僅產(chǎn)品輕薄,而且透光度可達(dá)9成以上。

 

  勝華表示,GFG觸控面板生產(chǎn)比較容易標(biāo)準(zhǔn)化,量產(chǎn)后成本可以快速下降,目前也正在跟客戶推廣。

 

  今年各家觸控面板大廠都積極開(kāi)發(fā)MetalMesh觸控技術(shù),10月份大陸觸控面板廠歐菲光宣布量產(chǎn)MetalMesh觸控面板,供貨給大陸筆記本大廠。而界面日前發(fā)表全尺寸MetalMesh觸控面板。

 

  界面表示,目前已經(jīng)有包括手機(jī)以及平板電腦客戶在接觸,12月可以開(kāi)始小量出貨,隨著客戶的新產(chǎn)品陸續(xù)量產(chǎn),預(yù)期2014年第2季就將滿載。界面計(jì)劃在2014年第2季擴(kuò)產(chǎn)。目前MetalMesh觸控面板的產(chǎn)能約5萬(wàn)平方米,明年下半年還將會(huì)擴(kuò)產(chǎn),再增加25萬(wàn)平方米。

 

  二、觸控巨頭宸鴻進(jìn)攻納米銀

 

  納米線是一種納米尺度(1納米=10^-9米)的線。換一種說(shuō)法,納米線可以被定義為一種具有在橫向上被限制在100納米以下(縱向沒(méi)有限制)的一維結(jié)構(gòu)。這種尺度上,量子力學(xué)效應(yīng)很重要,因此也被稱(chēng)作"量子線"。根據(jù)組成材料的不同,納米線可分為不同的類(lèi)型,包括金屬納米線(如:Ni,Pt,Au等),半導(dǎo)體納米線(如:InP,Si,GaN等)和絕緣體納米線(如:SiO2,TiO2等)。分子納米線由重復(fù)的分子元組成,可以是有機(jī)的(如:DNA)或者是無(wú)機(jī)的(如:Mo6S9-xIx)。作為納米技術(shù)的一個(gè)重要組成部分,納米線可以被用來(lái)制作超小電路。銀納米線除具有銀優(yōu)良的導(dǎo)電性之外,由于納米級(jí)別的尺寸效應(yīng),還具有優(yōu)異的透光性、耐曲撓性。因此被視為是最有可能替代傳統(tǒng)ITO透明電極的材料,為實(shí)現(xiàn)柔性、可彎折LED顯示、觸摸屏等提供了可能,并已有大量的研究將其應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池。此外由于銀納米線的大長(zhǎng)徑比效應(yīng),使其在導(dǎo)電膠、導(dǎo)熱膠等方面的應(yīng)用中也具有突出的優(yōu)勢(shì)。

 

      TPK宸鴻與日寫(xiě)合作:進(jìn)攻納米銀

 

  F-TPK宸鴻與日本寫(xiě)真宣布策略結(jié)盟,聯(lián)手進(jìn)攻納米銀線(SNW)觸控技術(shù),以降低成本,進(jìn)軍5至6寸的中階智能機(jī)觸控市場(chǎng),共同迎戰(zhàn)大陸競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的價(jià)格戰(zhàn),重回過(guò)去高獲利水平。

 

  TPK與Cambrios先前合資成立TPKFilm,專(zhuān)門(mén)研發(fā)SNW技術(shù),目前資本額為1500萬(wàn)美元,引入日本寫(xiě)真(日寫(xiě))后,將增資到2500萬(wàn)美元,TPK加碼投資400萬(wàn)美元,日寫(xiě)投資625萬(wàn)美元,TPK、日寫(xiě)及Cambrios三方的股權(quán)比例分別為65%、25%及10%。

 

  TPK事長(zhǎng)江朝瑞表示,TPK與Cambrios合作開(kāi)發(fā)SNW已逾3年,日寫(xiě)將導(dǎo)入薄膜制程與滾動(dòng)條式生產(chǎn)技術(shù),雙方共同制定全球SNW的規(guī)格與標(biāo)準(zhǔn),以樹(shù)立專(zhuān)利門(mén)檻,阻止對(duì)手進(jìn)入。

 

  TPK財(cái)務(wù)長(zhǎng)劉詩(shī)亮說(shuō),TPKFilm預(yù)定第4季打樣,明年第2季量產(chǎn),2014下半年產(chǎn)能將達(dá)200萬(wàn)片,初期主攻智能手機(jī)及平板電腦。

 

  納米銀是透明導(dǎo)電材料,可以運(yùn)用在觸控感測(cè)導(dǎo)電圖型結(jié)構(gòu)的制程中,納米銀觸控是目前最新且具成本競(jìng)爭(zhēng)力的觸控技術(shù),開(kāi)發(fā)有助簡(jiǎn)化制程,降低成本。

 

  法人分析,宸鴻是整體手機(jī)、平板電腦供應(yīng)鏈中,唯一主打納米銀觸控技術(shù)的廠商,納米銀訴求穿透率高等性能優(yōu)勢(shì),但由于納米銀觸控技術(shù)尚未普及,價(jià)格偏高,目前觸控裝置以中低價(jià)位的智能手機(jī)與平板電腦為主要市場(chǎng),倘若技術(shù)不成熟、價(jià)格貴,恐怕短時(shí)間難打入市場(chǎng)。

 

  宸鴻迎戰(zhàn)低價(jià)觸控競(jìng)爭(zhēng)推出低價(jià)納米銀解決方案

 

  宸鴻總經(jīng)理孫大明表示,去年遭逢內(nèi)嵌式(incell)觸控面板興起的沖擊,宸鴻都能迎刃而解,今年迎戰(zhàn)低價(jià)觸控面板競(jìng)爭(zhēng),宸鴻將加強(qiáng)中低端產(chǎn)品布局,并推出低價(jià)的納米銀解決方案,可望順利過(guò)關(guān)。

 

  宸鴻財(cái)務(wù)長(zhǎng)劉詩(shī)亮指出,過(guò)去宸鴻的基因是做高端產(chǎn)品,從技術(shù)演進(jìn)來(lái)看,現(xiàn)在來(lái)做低規(guī)格的產(chǎn)品,具有技術(shù)上的優(yōu)勢(shì),宸鴻將開(kāi)發(fā)中低端產(chǎn)品,雖然獲利會(huì)比較低、毛利降低,但量大時(shí),整體獲利也會(huì)不錯(cuò)。

 

  今年以來(lái),觸控筆電銷(xiāo)售未如預(yù)期,價(jià)格偏高是主因,觸控面板廠紛紛開(kāi)發(fā)低價(jià)觸控面板,以利搶進(jìn)觸控筆電市場(chǎng)。他說(shuō),宸鴻推出單片式觸控(OGS)面板,鎖定筆電市場(chǎng),除既有的高端產(chǎn)品,也將推出低價(jià)產(chǎn)品。

 

  三、日本開(kāi)始量產(chǎn)單層碳納米管(CNT)

 

  碳納米管作為一維納米材料,重量輕,六邊形結(jié)構(gòu)連接完美,具有許多異常的力學(xué)、電學(xué)和化學(xué)性能。近些年隨著碳納米管及納米材料研究的深入其廣闊的應(yīng)用前景也不斷地展現(xiàn)出來(lái)。碳納米管具有高傳熱、高導(dǎo)電性優(yōu)良、碳納米管具有良好的力學(xué)性能,CNTs抗拉強(qiáng)度達(dá)到50~200GPa,是鋼的100倍,密度卻只有鋼的1/6,至少比常規(guī)石墨纖維高一個(gè)數(shù)量級(jí);它的彈性模量可達(dá)1TPa,與金剛石的彈性模量相當(dāng),約為鋼的5倍。碳納米管是目前可制備出的具有最高比強(qiáng)度的材料。若將以其他工程材料為基體與碳納米管制成復(fù)合材料,可使復(fù)合材料表現(xiàn)出良好的強(qiáng)度、彈性、抗疲勞性及各向同性,給復(fù)合材料的性能帶來(lái)極大的改善。

 

  2014年2月,日本終于開(kāi)始量產(chǎn)單層碳納米管(CNT)了。分離技術(shù)也取得了巨大進(jìn)展,今后有望實(shí)現(xiàn)以前無(wú)法實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品。石墨烯的帶隙問(wèn)題也出現(xiàn)了解決的希望。

 

  什么樣的碳元件能實(shí)用化主要取決于CNT和石墨烯等材料的品質(zhì)及價(jià)格?,F(xiàn)在,終于能以低成本采購(gòu)高品質(zhì)的CNT和石墨烯了,而且還有希望選擇具備特定帶隙的材料。

 

    單層CNT:合成和分離均取得進(jìn)展

 

  日本從2014年2月開(kāi)始量產(chǎn)單層碳納米管(CNT)。單層CNT的量產(chǎn)在全球還比較少見(jiàn)注1)。如果每克高達(dá)10多萬(wàn)日元的單層CNT價(jià)格能通過(guò)量產(chǎn)降低,利用單層CNT的碳元件就會(huì)增加,從而促進(jìn)單層CNT的價(jià)格進(jìn)一步降低,這樣就有望形成良性循環(huán)。

 

  除此之外,量產(chǎn)較高品質(zhì)單層CNT的還有率先推出CNT觸摸面板的中國(guó)富納源創(chuàng)。2002年開(kāi)發(fā)出了稱(chēng)為“Super-AlignedCNTArray”的CVD法。與SG法相似,不過(guò)SG法是2004年開(kāi)發(fā)的。

 

  采用兩種方法的工廠接連投入運(yùn)轉(zhuǎn)

 

  目前,量產(chǎn)高品質(zhì)單層CNT的技術(shù)主要可分為兩種。日本最近運(yùn)轉(zhuǎn)的量產(chǎn)工廠也采用了隸屬于這兩種分類(lèi)的技術(shù)。首先,2014年2月開(kāi)始量產(chǎn)的是稱(chēng)為eDIPS(增強(qiáng)直噴熱解合成)法的技術(shù)(圖1)。

 

  該技術(shù)由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所開(kāi)發(fā)。名城大學(xué)設(shè)立的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)——名城納米碳公司建設(shè)了采用該技術(shù)的量產(chǎn)工廠,于2014年2月投入使用?!安捎胑DIPS法一小時(shí)可合成一克單層CNT。包括精煉過(guò)程的成品率在內(nèi),與我們此前利用的電弧放電法相比,擁有100倍的量產(chǎn)性”(名城納米碳公司代表董事橋本剛)。

 

  另一種量產(chǎn)技術(shù)稱(chēng)為超速成長(zhǎng)(SG)法,也是由產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所開(kāi)發(fā)的。SG法已經(jīng)啟動(dòng)了長(zhǎng)12m的大型驗(yàn)證工廠。不過(guò),今后才要開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。日本瑞翁(Zeon)正考慮2015年啟動(dòng)年產(chǎn)10噸規(guī)模的工廠。

 

  根據(jù)碳元件的種類(lèi)區(qū)分使用

 

  這兩種量產(chǎn)技術(shù)相互之間不存在競(jìng)爭(zhēng)。因?yàn)榭珊铣傻膯螌覥NT的類(lèi)型不同。因此,都是根據(jù)用途區(qū)分利用合成法。

 

  首先,eDIPS法是化學(xué)氣相法(CVD)的一種,從反應(yīng)爐上投入碳源和作為催化劑的金屬微顆粒物,在氣相中生長(zhǎng)CNT。既不使用基板也不使用固定催化劑的載體。無(wú)需清潔車(chē)間,能在大氣壓下制造。

 

  利用這種方法合成的單層CNT結(jié)晶缺陷少,純度高達(dá)90~95%,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于原來(lái)的合成方法。CNT的直徑比較細(xì),只有1n~2nm。

 

  該方法的最大特點(diǎn)是,“通過(guò)控制反應(yīng)條件,可在約10%的范圍內(nèi)制作所需的直徑”(產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所納米管應(yīng)用研究中心流動(dòng)氣相成長(zhǎng)CNT小組研究組長(zhǎng)齋藤毅)。

 

  單層CNT的結(jié)晶缺陷少有助于載流子遷移率、發(fā)光效率和機(jī)械強(qiáng)度等都實(shí)現(xiàn)高水平。直徑可選意味著如果單層CNT是半導(dǎo)體型,可以選擇帶隙尺寸。因此,利用eDIPS法合成的單層CNT適合用作半導(dǎo)體材料。

 

  可以全部分離的技術(shù)亮相

 

  最近開(kāi)發(fā)出了基本不使用電力就能分離手性各異的單層CNT的方法。那就是“柱分離法”,該方法是產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所納米系統(tǒng)研究部門(mén)首席研究員片浦弘道的研究小組開(kāi)發(fā)的。據(jù)片浦介紹,“量產(chǎn)時(shí)的成本可降至密度梯度超離心分離法的1/100”。

 

  該方法是向加入了醫(yī)療領(lǐng)域用于蛋白質(zhì)分離等的多孔質(zhì)凝膠的柱體,澆注含手性各異的單層CNT的溶液。這樣一來(lái),溶液中最容易與凝膠吸附的CNT就留在了凝膠中,而其他成分被排出。

 

  然后,讓排出的溶液再次通過(guò)凝膠,剩余的CNT中最容易吸附凝膠的CNT又留在凝膠中,其余被排出。

 

  通過(guò)重復(fù)這個(gè)過(guò)程,單層CNT基本可以根據(jù)手性的不同全部分離。另外最近,即使手性相同,還可以根據(jù)右旋還是左旋等差異進(jìn)行分離。

 

  目前的課題是,凝膠價(jià)格非常高。不過(guò),“凝膠的原料比較便宜,因此量產(chǎn)的話就能降低單價(jià)”(片浦)。

“玉石混雜”的情況將結(jié)束

 

  很多CNT碳元件的研究人員都對(duì)柱分離法表現(xiàn)出了強(qiáng)烈的興趣。這是因?yàn)?,以前一直利用半?dǎo)體型與金屬型混合這種“玉石混雜”的材料制造元件,而現(xiàn)在突然可以利用具備特定帶隙的CNT了。有望實(shí)現(xiàn)性能非常高或者全新的元件。

 

  順便一提,關(guān)于半導(dǎo)體型和金屬型的分離,NEC等也開(kāi)發(fā)出了只使用很少電力的技術(shù)(圖2(d))。特點(diǎn)是,CNT分散劑采用不會(huì)對(duì)晶體管等造成影響的非離子性表面活性劑;而且直徑稍大、帶隙較小的單層CNT可以分離成半導(dǎo)體型和金屬型。

 

  四、石墨烯制法新突破:將得到廣泛應(yīng)用

 

  石墨烯是世界上最薄、導(dǎo)熱性最高、導(dǎo)電性最好、柔軟并透明、化學(xué)穩(wěn)定性最強(qiáng)、最堅(jiān)韌的材料將在手機(jī)顯示屏、電池、傳感器、元器件等方面給手機(jī)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)革命性應(yīng)用。

 

  它是一個(gè)只有原子厚的碳片,它類(lèi)似于鉛筆芯的材料─石墨,同時(shí)它也是地球上已知的最薄、但卻比鋼還要堅(jiān)固200倍的新型材料。石墨烯不僅是已知材料中最薄的一種,還非常牢固堅(jiān)硬;作為單質(zhì),它在室溫下傳遞電子的速度比已知導(dǎo)體都快。石墨烯具有與銅相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電效率,又有優(yōu)于其他材料的導(dǎo)熱性能。石墨烯目前是世上最薄卻也是最堅(jiān)硬的納米材料,它幾乎是完全透明的,只吸收2.3%的光;導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300W/m?K,高于碳納米管和金剛石,常溫下其電子遷移率比納米碳管或硅晶體高,而電阻率比銅或銀更低,為目前世上電阻率最小的材料第一:石墨烯是迄今為止世界上強(qiáng)度最大的材料,據(jù)測(cè)算如果用石墨烯制成厚度相當(dāng)于普通食品塑料包裝袋厚度的薄膜(厚度約100納米),那么它將能承受大約兩噸重物品的壓力,而不至于斷裂;第二:石墨烯是世界上導(dǎo)電性最好的材料。由于石墨烯實(shí)質(zhì)上是一種透明、良好的導(dǎo)體,也適合用來(lái)制造透明觸控屏幕、光板、甚至是太陽(yáng)能電池。

 

  而今年,兩位俄裔英籍科學(xué)家將石墨烯成功從石墨中分離。如果說(shuō)20世紀(jì)是硅的世紀(jì),神奇的石墨烯則是21世紀(jì)新材料的寵兒。

 

  去年,來(lái)自國(guó)外的部分研究機(jī)構(gòu)發(fā)現(xiàn),石墨烯這種材料擁有難以置信的光吸收能力,并且還能把吸收的光波迅速轉(zhuǎn)化為波長(zhǎng)更短、頻率更高的激光,持續(xù)時(shí)間為幾飛秒。科學(xué)家們表示,利用這個(gè)新發(fā)現(xiàn),未來(lái)他們可以發(fā)明更耐高溫的激光發(fā)射武器(石墨烯超耐高溫)。當(dāng)然,這個(gè)發(fā)現(xiàn)目前僅存在于實(shí)驗(yàn)室,如果科學(xué)家們建立出實(shí)體模型,將能夠增加激光發(fā)射器的使用壽命和發(fā)射功率。

 

  不僅是在國(guó)外,中國(guó)在發(fā)展石墨烯激光器的道路上同樣取得令人矚目的進(jìn)展。

 

  日前,泰州巨納新能源有限公司研制的商用石墨烯飛秒光纖激光器(Fiphene)問(wèn)世,這也是全球首臺(tái)商用石墨烯飛秒光纖激光器。同時(shí),該激光器還創(chuàng)造了脈沖寬度最短(105fs)和峰值功率最高(70kW)兩項(xiàng)石墨烯飛秒光纖激光器世界紀(jì)錄。

 

  該產(chǎn)品被命名為Fiphene,取Fiber(光纖)和Graphene(石墨烯)兩個(gè)詞的組合。泰州巨納新能源有限公司計(jì)劃以Fiphene為平臺(tái),推出更多石墨烯光纖激光器產(chǎn)品,將石墨烯的應(yīng)用發(fā)展向前推進(jìn)。

 

  飛秒光纖激光器的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣闊,包括激光成像、全息光譜及超快光子學(xué)等科研應(yīng)用,以及激光材料精細(xì)加工、激光醫(yī)療(如眼科手術(shù))、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。傳統(tǒng)的飛秒光纖激光器核心器件——半導(dǎo)體飽和吸收鏡(SESAM)采用半導(dǎo)體生長(zhǎng)工藝制備,成本很高,且技術(shù)由國(guó)外壟斷。

 

  在飛秒光纖激光器領(lǐng)域,石墨烯被認(rèn)為是取代SESAM的最佳材料。2010年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者撰文預(yù)測(cè)石墨烯飛秒光纖激光器有望在2018年左右產(chǎn)業(yè)化。要實(shí)現(xiàn)真正的產(chǎn)業(yè)化,需要解決高質(zhì)量石墨烯制備、大規(guī)模低成本石墨烯轉(zhuǎn)移、石墨烯與光場(chǎng)強(qiáng)相互作用、石墨烯飽和吸收體封裝以及激光功率穩(wěn)定控制等一系列關(guān)鍵技術(shù)。泰州巨納新能源有限公司經(jīng)過(guò)多年持續(xù)研究,成功攻克了這些關(guān)鍵技術(shù),率先實(shí)現(xiàn)了石墨烯飛秒光纖激光器的產(chǎn)品化,主要性能指標(biāo)均高于同類(lèi)產(chǎn)品,具有很高的性價(jià)比和很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。

 

  近日,一支由法、美、德三國(guó)研究機(jī)構(gòu)和大學(xué)組成的國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)利用新方法合成了高質(zhì)量石墨烯納米帶,并成功在室溫下驗(yàn)證了其非凡的導(dǎo)電性能。這種納米帶為新型電子設(shè)備的研發(fā)開(kāi)創(chuàng)了新的發(fā)展空間。

 

  石墨烯是一種由單層碳原子組成的材料,擁有眾多極為特殊的物理特性,室溫下電子在石墨烯材料中的移動(dòng)速度是硅導(dǎo)體的200倍。此前的研究已經(jīng)證實(shí),碳納米管(由石墨烯卷曲而成的圓筒結(jié)構(gòu))具有極好的導(dǎo)電性能,然而結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜的碳納米管難以安裝在電子芯片內(nèi)部。因此,科研人員將研究轉(zhuǎn)向石墨烯的另外一種形式——扁平的石墨烯納米帶。

 

       該研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)出一套巧妙的辦法,成功制備出寬度僅為40納米的高質(zhì)量石墨烯納米帶。此前的石墨烯納米帶邊緣較為粗糙,這嚴(yán)重影響了其導(dǎo)電性,是阻礙石墨烯納米帶電子傳輸?shù)囊淮笳系K。為解決這一問(wèn)題,研究人員在碳化硅晶體上切割出邊緣整齊的帶狀凹槽,并直接在這些凹槽上制備石墨烯納米帶。在測(cè)試新制備納米帶導(dǎo)電性的實(shí)驗(yàn)中,常溫下的電子遷移率超過(guò)了100萬(wàn)cm2/Vs(每單位電場(chǎng)下電子的遷移速率),是應(yīng)用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的硅半導(dǎo)體的1000倍(通常低于1700cm2/Vs)。

 

  此外,新的制備方法適用于大批量規(guī)模生產(chǎn),并能夠保證石墨烯納米帶的結(jié)構(gòu)質(zhì)量,這使得石墨烯在電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用成為可能。


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